Si tratta di un programma di R&S cruciale per rafforzare la leadership europea nell'ambito delle piattaforme CMOS e nelle tecnologie derivate per applicazioni specifiche a valore aggiunto

Crolles (Grenoble), Francia, 17 luglio 2009 – La STMicroelectronics, fra i principali produttori di semiconduttori al mondo, e il CEA-LETI, l'istituto di ricerca francese su elettronica e informatica, hanno annunciato che Madame Christine Lagarde, Ministro francese per l'economia, l'industria e il pubblico impiego, assieme a rappresentanti delle amministrazioni nazionali, regionali e locali e ai dirigenti del CEA-LETI e della ST si sono riuniti oggi presso la sede della STMicroelectronics di Crolles, nei pressi di Grenoble, in Francia, per festeggiare l'avvio ufficiale del programma di ricerca e sviluppo Nano2012. Alla cerimonia erano presenti anche rappresentanti della IBM, partner chiave della ST e del CEA-LETI, in virtù degli importanti accordi di sviluppo tecnologico stretti con entrambe le organizzazioni.

Nano2012 è un programma strategico di R&S pubblico/privato, guidato dalla ST, che riunisce istituti di ricerca e partner industriali e sostenuto dalle autorità francesi a livello nazionale, regionale e locale. Il programma mira a creare uno dei cluster di R&S più avanzati al mondo per lo sviluppo di nuove generazioni di tecnologie a semiconduttore a livello nanoelettronico, dove le dimensioni delle strutture usate per realizzare i chip in silicio sono dell'ordine delle decine di nanometri (miliardesimi di un metro).

Il programma di cooperazione Nano2012, assieme ad altri importanti programmi cooperativi quali CATRENE, contribuirà in modo significativo al costante rafforzamento dell'industria elettronica europea fornendo l’accesso competitivo alle tecnologie CMOS più avanzate da 32 nm sino a 22 nm. I lavori del programma Nano2012 sono iniziati il primo gennaio 2008. Il programma quinquennale, che avrà termine il 31 dicembre 2012, gode di un contributo pubblico (457 milioni di Euro) da parte delle autorità francesi. Il programma include la partecipazione di altri partner quali l'INRIA (Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique), il CNRS (National Center for Scientific Research), università e numerose piccole e medie imprese.

La ST e il CEA-LETI hanno una ricca tradizione di collaborazione in ambito di R&S che include l'allestimento iniziale del centro di R&S di Crolles nel 1992. Come leader tra gli istituti di ricerca, il CEA-LETI rappresenta un'interfaccia di importanza decisiva tra la ricerca universitaria di lungo periodo e le attività di R&S industriali e orientate al mercato della ST. A luglio del 2007, la ST è entrata a far parte della Joint Development Alliance, che fa capo al centro di R&S sui semiconduttori di IBM a East Fishkill e Albany, nello stato di New York (Stati Uniti), e si occupa dello sviluppo di processi CMOS “core” e a basso consumo energetico da 32 a 22 nm. Allo stesso tempo, IBM si è unita alla ST a Crolles per sviluppare tecnologie MOS derivate per applicazioni specifiche a valore aggiunto. Inoltre, il CEA-LETI e la IBM, che vantano competenze forti e complementari nello sviluppo dei materiali e dei processi richiesti per la tecnologia CMOS, stanno collaborando ad attività avanzate di R&S sino a 22 nm e oltre, presso la sede del CEA-LETI di Grenoble, la struttura della IBM di East Fishkill, il sito della ST di Crolles e il centro di ricerca NanoTech di Albany, N.Y..

Sin dall'avvio del programma Nano2012, avvenuto a gennaio del 2008, la ST e IBM si sono scambiati ricercatori fra i siti di Crolles e East Fishkill, e hanno iniziato a collaborare con i ricercatori del CEA-LETI su una varietà di programmi chiave, fra cui i processi CMOS “core” a 32 nm e 28 nm, la tecnologia derivata RF (radiofrequenza) da 45 nm per applicazioni wireless e la tecnologia derivata da 65 nm per memorie non volatili utile nelle applicazioni automobilistiche e per le smart card. Queste tecnologie permetteranno lo sviluppo di nuovi e interessanti prodotti in applicazioni di comunicazione, elettronica di consumo, computer e automobile. I nuovi prodotti saranno in grado di consumare meno energia e quindi di aumentare l'autonomia delle batterie, saranno più rapidi e forniranno un maggior numero di funzioni e una maggiore praticità d'uso agli utenti finali.

Il programma Nano2012 si focalizza sullo sviluppo di una piattaforma tecnologica per le tecnologie CMOS derivate a bassa potenza per applicazioni specifiche. Una piattaforma tecnologica abbraccia il processo di fabbricazione mediante il quale miliardi di transistor sono integrati su un unico chip di silicio, oltre alle librerie dei componenti e alla metodologia di progettazione per assicurare un progetto della massima efficienza dei circuiti all'avanguardia previsti da questo processo. Utilizzando questi team di eccellenza con sede a Crolles e Grenoble, la ST e i suoi partner sono già fra i leader mondiali in questo settore e un obbiettivo chiave di Nano2012 è rafforzare questa leadership.

Le tecnologie derivate per applicazioni specifiche e a valore aggiunto sono fattori chiave di differenziazione rispetto alle tecnologie CMOS standard e un obiettivo importante di Nano2012 è proprio che il cluster di R&S di base a Grenoble-Isere continui a essere uno dei leader assoluti in questo campo.

 Informazioni su CEA/ LETI :
Il CEA è un'organizzazione di ricerca e sviluppo francese pubblica che è attiva in tre aree principali: energia, tecnologie informatiche e sanità, difesa e sicurezza. All'interno del CEA, il Laboratorio per l'Elettronica e l’Informatica (LETI) collabora con diverse aziende per aumentare la propria competitività mediante la condivisione di innovazioni tecnologiche. Il LETI concentra le proprie attività sulle micro e nanotecnologie e sulle loro applicazioni, dai dispositivi e sistemi wireless, alle soluzioni biologiche, medicali o fotoniche. Nanoelettronica e Microsistemi (MEMS) sono il cuore delle sue attività. In qualità di protagonista delle iniziative di ricerca che si svolgono nel centro di eccellenza MINATEC, il LETI gestisce 8.000 m² di camere bianche all'avanguardia, in modalità 24/7, sui wafer standard a 200 mm e 300 mm. Il LETI può contare su 1.200 dipendenti, è in grado di seguire la formazione di oltre 150 PhD e ospita 200 ricercatori dei propri partner. In conseguenza del proprio forte impegno nei confronti della creazione di valore per l’industria, il LETI difende con forza il proprio patrimonio intellettuale, che conta oltre 1.400  famiglie di brevetti.  Nel 2008, i proventi dei contratti hanno coperto oltre il 75% del suo budget, pari a 210 milioni di €. Per ulteriori informazioni, visitare www.leti.fr

Informazioni su IBM
Per ulteriori informazioni su IBM, visitare: www.ibm.com/chips

 Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è un leader globale al servizio dei clienti attraverso tutto lo spettro delle applicazioni elettroniche con soluzioni innovative basate sui semiconduttori. La ST si propone di diventare il leader indiscusso nelle applicazioni di potenza e nella convergenza multimediale avvalendosi della propria vasta gamma di tecnologie, esperienza di progettazione e combinazione di proprietà intellettuale, partnership strategiche e forte capacità manifatturiera. Nel 2008 i ricavi netti della Società sono stati pari a 9,84 miliardi di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com